特許

J-GLOBAL ID：200903033350928503

ウエハ表面の平坦化方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-346574
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183278
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜の研磨表面の耐圧が確保されるウエハ表面の平坦化方法を提供して半導体装置の信頼性を向上させる。【構成】 表面に段差を有するウエハ1上に段差を覆う状態で絶縁膜15を形成する。次いで、絶縁膜15を化学的機械研磨し絶縁膜15の表面を平坦化する。その後、研磨表面15aをオゾンを用いて加熱酸化処理する。これによって研磨の際に加水分解された絶縁膜の研磨表面から水酸基を脱離させ、研磨表面を化学的に安定化させる。

請求項（抜粋）：

表面に段差を有するウエハ上に当該段差を覆う状態で絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を化学的機械研磨し当該絶縁膜の表面を平坦化する工程と、前記絶縁膜の研磨表面を酸化剤を用いて加熱酸化処理する工程とからなることを特徴とするウエハ表面の平坦化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/302 L ,  H01L 21/88 K