特許
J-GLOBAL ID：200903033352274357
薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015122
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218433
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】この発明は、無研磨ガラスの使用が可能にしてコストの低減を図ることが出来る薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供することを目的とする。【構成】この発明の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法は、ガラス基板1上に少なくともテトラエチルオルソシリケ-トを原料に含む酸化硅素膜16を化学気相成長法により形成し、この酸化硅素膜上に薄膜トランジスタを作製してなり、上記の目的を達成することが出来る。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に少なくともテトラエチルオルソシリケ-トを原料に含む酸化硅素膜を化学気相成長法により形成し、この酸化硅素膜上に薄膜トランジスタを作製することを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
