特許

J-GLOBAL ID：200903033353116925

半導体装置作製方法および結晶成長促進剤

発明者： 山崎 舜平 ,  宮永 昭治
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331608
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167572
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 非晶質珪素膜の結晶化を従来より低温度で行う。【構成】 非晶質珪素膜103の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素を含んだ溶液104を塗布し、加熱により結晶性珪素膜105を得る。この際、上記溶液104に界面活性剤を添加する。こうすると、当該金属元素が分散して珪素膜中に導入されることとなり、金属シリサイドの影響によるリーク電流の問題を低減することができる。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素を含んだ溶液を塗布する工程と、加熱処理を行い前記非晶質珪素膜の結晶化を行う工程と、を有し、前記溶液中には界面活性剤が添加されていることを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336