特許

J-GLOBAL ID：200903033358737596

ゲート保護膜およびその形成方法

発明者： 大室 和彦 ,  西 清次
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328753
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166842
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ゲート電極の張り出し部分62による導電性領域との間の容量を小さくすること。【構成】 ゲート電極60の上部が張り出し部分62を有している場合、ゲート電極を含む全面に、ゲート長方向の張り出しの長さよりも短い第1絶縁膜72を、等方的堆積方法により設ける。この第1絶縁膜上に第2絶縁膜74を基板に垂直な方向からの異方的堆積により設ける。このとき、張り出し部分の下部に空隙84を形成する。この第2絶縁膜上に等方的堆積方法により、途切れの無い、連続した第3絶縁膜76を形成する。これら第1、第2および第3絶縁膜でゲート保護膜を構成する。その結果、張り出し部分の下側に、ゲート幅方向に沿う空隙を残したゲート保護膜を得る。

請求項（抜粋）：

下地の表面から上方に突出しかつ突出した上部がゲート長方向に沿って一方または両側に張り出した構造のゲート電極を被覆するゲート保護膜において、このゲート保護膜は、下地の表面と張り出し部分の下面との間に空隙を形成した状態でゲート電極を被覆していることを特徴とするゲート保護膜。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 B