特許
J-GLOBAL ID：200903033359081066
シリコン酸化膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-246534
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066587
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】処理室52内にシリコン原子を含む第1の原料ガスを供給し、ウエハ200上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成し、第1の原料ガスの供給を停止し、第1の原料ガスを処理室52内から排出し、処理室52内に酸素原子を含む第2の原料ガスを供給し、ウエハ1上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成し、第2の原料ガスの供給を停止し、処理室52内から第2の原料ガスを排出する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理室内に載置され、所定の温度に加熱された基板上にシリコン酸化膜を形成する方法であって、
前記処理室内にシリコン原子を含む第1の原料ガスを供給し、前記基板上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成させる工程と、
前記第1の原料ガスの供給を停止し、前記処理室内に残留する前記第1の原料ガスを前記処理室から排出する工程と、
前記処理室内に酸素原子を含む第2の原料ガスを供給し、前記基板上に形成された前記アモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、
しかる後、前記第2の原料ガスの供給を停止し、前記処理室内に残留する前記第2の原料ガスを前記処理室から排出する工程と、
を含むことを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, C23C 16/52
H01L21/316 C
, C23C16/40
, C23C16/52
4K030AA06
, 4K030AA14
, 4K030BA44
, 4K030BB05
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA08
, 4K030JA10
, 4K030KA24
, 4K030LA02
, 4K030LA12
, 5F058BA09
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BD04
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF29
, 5F058BF37
