特許

J-GLOBAL ID：200903033359497459

半導体装置の製造方法

発明者： 原 雅史
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-361160
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183345
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 フィールド部の厚み制御性を向上可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 この方法によれば、バリア層12によって、マスク層9,10の除去時にフィールド酸化膜2が保護されるため、その厚みtを制御することができ。すなわち、HF水溶液に対してSiO2は溶解するが、Si窒化物は耐性を有するので、SiO2からなるマスク層は選択的にエッチングされるが、Si窒化物からなるバリア層12及びこれの直下のフィールド酸化膜2はウエットエッチングから保護されることとなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面上のフィールド部内の領域で規定される素子領域を備えた半導体装置の製造方法において、前記フィールド部上にバリア層を形成し、前記バリア層を介して前記フィールド部及び前記素子領域に跨るマスク層を形成し、前記マスク層を用いて前記基板表面の前記素子領域内をエッチングした後、前記バリア層で前記フィールド部を保護しつつ前記マスク層を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 301 V ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 G

Fターム (9件)：

5F040DA00 ,  5F040DA16 ,  5F040DB07 ,  5F040DB09 ,  5F040DC01 ,  5F040EB14 ,  5F040EK01 ,  5F040FC21 ,  5F040FC22