特許
J-GLOBAL ID：200903033366910922
アクティブマトリックス方式TFT-LCDおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057803
公開番号（公開出願番号）：特開平7-270821
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】開口率を低下させることなく補助容量を増大させることが可能なアクティブマトリックス方式TFT-LCDを提供する。【構成】石英基板1上に、多結晶シリコン膜2、ゲート酸化膜3、ゲート電極4が順次形成されている。多結晶シリコン膜2にはドレイン領域5およびソース領域6が形成されている。ソース領域6は、多結晶シリコン膜2に形成されている補助容量CS の蓄積電極7および表示電極14と接続されている。蓄積電極7上に、誘電体膜としてのシリコン酸化膜8、補助容量CS の対向電極9が順次形成されている。これらの全体表面に層間絶縁膜10が形成され、その上に表示電極14が形成されている。対向電極9上の層間絶縁膜10が薄くなっており、表示電極14と対向電極9とが近接している。従って、対向電極9上の層間絶縁膜10が誘電体膜として働き、表示電極14と対向電極9との間に静電容量が形成されるため、補助容量CS が増大する。
請求項（抜粋）：
TFTと液晶セルと補助容量とを備えたアクティブマトリックス方式TFT-LCDにおいて、補助容量(CS )におけるTFTと接続される電極(7)の対向電極(9)と、液晶セル(LC)の表示電極(14)との間に静電容量が形成されているアクティブマトリックス方式TFT-LCD。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
