特許

J-GLOBAL ID：200903033369968921

薄膜太陽電池およびその製法

発明者： 横山 敬志 ,  山本 和馬 ,  三島 孝博 ,  松田 豪
出願人/特許権者： 大同ほくさん株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-161216
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018033
出願日： 1995年06月27日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】異種基板上に太陽電池材料を成膜しても熱膨脹係数の差によるそりが生じない、優れた薄膜太陽電池およびその製法を提供する。【構成】従来、基板10上に連続した層として成膜していた結晶を、多数の穴12が所定間隔で並ぶマスク層13を介して成長させることにより、上記マスク層13の各穴12内から上方に盛り上がった島状結晶16として得、しかも、各島状結晶16を、互いに他の島状結晶16と接触しない状態で得るようにした。

請求項（抜粋）：

導電性基板上に種結晶層が形成され、その上に、多数の穴が所定間隔で並ぶマスク層が形成され、さらにその上に、上記マスク層の各穴内から成長し穴の上方に盛り上がって島状に結晶した島状結晶が、互いに他の島状結晶と接触しない状態で形成され、かつ上記各島状結晶の少なくとも表面部が拡散層に形成され、その上に、上記各島状結晶の拡散層にまたがる透明導電層が形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

H01L 31/04 F ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 Z