特許
J-GLOBAL ID：200903033370464430
集積化圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167248
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013783
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 新規なる構造にてピエゾ抵抗層に針圧応力が伝搬しにくい集積化圧力センサを提供することにある。【構成】 方形のシリコンチップ1の中央部には薄肉のダイヤフラム2が形成されている。ダイヤフラム2には不純物拡散によるピエゾ抵抗層3a,3b,3c,3dが形成されている。シリコンチップ1の周辺部には調整用薄膜抵抗体を有する信号処理回路が形成されている。シリコンチップ1の4つの隅部には、調整用薄膜抵抗体の抵抗値を調整するためのプロービング用パッド6がそれぞれ2つずつ配置されている。
請求項（抜粋）：
方形のシリコンチップの中央部に薄肉のダイヤフラムが形成され、そのダイヤフラムにピエゾ抵抗層が配置され、さらに、シリコンチップの周辺部に調整用薄膜抵抗体を有する信号処理回路を形成した集積化圧力センサにおいて、前記調整用薄膜抵抗体の抵抗値を調整するためのプロービング用パッドを、前記シリコンチップの隅部にのみ配置したことを特徴とする集積化圧力センサ。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
