特許
J-GLOBAL ID:200903033371096338

極高真空環境装置及び極高真空環境の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 木戸 一彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-292155
公開番号(公開出願番号):特開2000-117093
出願日: 1998年10月14日
公開日(公表日): 2000年04月25日
要約:
【要約】【課題】 安価にかつ確実に極高真空環境を形成することができる極高真空環境装置及び極高真空環境の形成方法を提供する。【解決手段】 真空容器12と、真空容器12を真空排気して超高真空を発生させる前段側ターボ分子ポンプ16及び後段側ターボ分子ポンプ17からなるタンデム型ターボ分子ポンプ18を有する真空排気装置と、真空容器12と真空排気装置との間の真空空間を遮蔽する遮蔽手段15とを備えた極高真空環境装置において、真空容器12の遮蔽手段15側に非蒸発型ゲッター13を設けるとともに、遮蔽手段15を非密閉型のシャッター構造とし、さらに、前段側ターボ分子ポンプ16をオイルレス形式で、かつ、非極高真空仕様とする。
請求項(抜粋):
真空容器と、該真空容器を真空排気して超高真空を発生させる前段側ターボ分子ポンプ及びこれと直列に接続された後段側ターボ分子ポンプからなるタンデム型ターボ分子ポンプを有する真空排気装置と、前記真空容器と前記真空排気装置との間に設けられてそれぞれの真空空間を遮蔽する遮蔽手段とを備えた極高真空環境装置において、前記真空容器の前記遮蔽手段側に非蒸発型ゲッターを設けるとともに、前記遮蔽手段を非密閉型のシャッター構造で形成したことを特徴とする極高真空環境装置。
IPC (2件):
B01J 3/02 ,  F04D 19/04
FI (2件):
B01J 3/02 M ,  F04D 19/04 G
Fターム (5件):
3H031DA01 ,  3H031DA02 ,  3H031DA03 ,  3H031FA37 ,  3H031FA38

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