特許

J-GLOBAL ID：200903033373503615

オプトエレクトロニック集積回路とその製造方法

発明者： クリストファー エル チュア ,  フィリップ ディー フロイド ,  トーマス エル パオリ ,  ディカイ サン
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレーション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396561
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237410
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 メサエッチによって埋込み酸化層にアクセスする通常の方法は、ウェーハの非平面性のレベルが増すので、次に続く処理工程が複雑になる。【解決手段】 オプトエレクトロニック集積回路は、最上面と底面を有する第1半導体デバイスと、第1表面を有する第2半導体デバイスと、第1半導体デバイスの底面と第2半導体デバイスの第1表面の間に置かれていて、前記最上面から酸化可能な層まで伸びた少なくとも1つの孔が入り込んでいる。エッチド・キャビティ法は、オプトエレクトロニクス集積回路内のデバイスの間に電気的隔離領域を形成する容易な手段を提供する。

請求項（抜粋）：

オプトエレクトロニック集積回路において、最上面と底面を有する第1半導体デバイスと、第1表面を有する第2半導体デバイスと、前記第1半導体デバイスの前記底面と前記第2半導体デバイスの前記第1表面の間に置かれていて、前記最上面から酸化可能な層まで伸びた少なくとも1つの孔が入り込んでいる前記酸化可能な層と、から成ることを特徴とする集積回路。

IPC (6件)：

H01L 27/15 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/22

FI (6件)：

H01L 27/15 A ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/22 ,  G02B 6/12 C ,  G02B 6/12 M