特許

J-GLOBAL ID：200903033379551670

半導体装置の製造方法

発明者： 地割 信浩 ,  今井 伸一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-005485
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217167
出願日： 2001年01月12日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 エッチング特性を安定化させて不良品の発生を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 プラズマを発生させる反応室を少なくとも有する半導体製造装置を用いて、パターンニングされたシリコン基板の絶縁膜にコンタクトホールを形成して半導体装置を製造する。シリコン基板の絶縁膜にコンタクトホールを形成する(ステップS3)前に、半導体製造装置の反応室内でアルゴンガスと酸素ガスとからなるプラズマを生成する(ステップS1)。

請求項（抜粋）：

プラズマを発生させる反応室を有する半導体製造装置を用いて、シリコン基板上に形成された絶縁膜にコンタクトホールを形成する半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する前に、予め前記反応室内でアルゴンガスと酸素ガスとからなるプラズマを一定時間生成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 C

Fターム (37件)：

4M104AA01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD19 ,  4M104DD22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH00 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB23 ,  5F004BB26 ,  5F004CA01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB06 ,  5F004EB01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR15 ,  5F033XX04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX34