特許
J-GLOBAL ID：200903033379757260
薄膜EL素子の耐熱基板構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-254043
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124676
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】リフトオフ法でEL素子の金属電極を形成する場合の基板に一般市販品のガラスを用い、安いコストで供給できる薄膜EL素子の耐熱基板構造を得る。【構成】耐熱基板1上に金属電極2、第1絶縁層、発光層を順次積層し、発光層を第2絶縁層で被覆しその上に透明電極を形成してなる薄膜EL素子において、前記耐熱基板1は透明絶縁体1a上に金属膜1b、透明絶縁層1cを順次積層することとする。
請求項（抜粋）：
耐熱基板上に金属電極、第1絶縁層、発光層を順次積層し、発光層を第2絶縁層で被覆しその上に透明電極を形成してなる薄膜EL素子において、前記耐熱基板は透明絶縁体上に金属膜、透明絶縁層が順次積層されたものであることを特徴とする薄膜EL素子の耐熱基板構造。
IPC (2件)：
H05B 33/02
, G09F 9/30 365
