特許
J-GLOBAL ID：200903033380271916
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317086
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172202
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【構成】 液晶表示装置等で用いられ、基板32上に、ゲート電極33と、ゲート絶縁膜34と、半導体層35と、コンタクト層36,37と、電極38,39と、保護層40とを形成するようにした逆スガター型の薄膜トランジスタ31において、コンタクト層36,37を電極38,39に対応して分離するチャネル41に臨んで、半導体層35上の表面に酸化膜42を形成する。【効果】 チャネル保護膜を形成しない小型化および開口率の増大の可能な薄膜トランジスタにおいて、半導体層35の不所望なエッチングを防止し、エッチング制御を簡略化することができるとともに、高い精度を得ることができる。これによって、歩留まりを向上することができるとともに、半導体層35を必要以上に厚くすることなく、光によるTFT特性への影響を最小限に抑えることができる。
請求項（抜粋）：
電気絶縁性基板上に、帯状のゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層上に部分的に形成される複数の導電性のコンタクト層と、前記コンタクト層の一方に接続されるソース電極および前記コンタクト層の他方に接続されるドレイン電極とがこの順で積層配置される薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層のゲート絶縁膜とは反対側の表面で、かつ前記ソース電極とドレイン電極との間のチャネル分離領域に、酸化膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 616 N
