ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-288012
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114523
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】ダイヤモンド薄膜を使用して高出力で、高周波特性が優れた電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】比抵抗102Ω・cm以上の高抵抗ダイヤモンド層10の上にゲート電極部が配置され、その両側にソース及びドレイン電極部が配置される。ソース及びドレイン電極部は、高抵抗ダイヤモンド層10の上にキャリアの伝導が金属的である程度のドーピング濃度を持つ低抵抗のダイヤモンド層11と、オーミック接触性のソース電極及びドレイン電極層12と、絶縁膜13とが順次積層された後、一回のフォトリソグラフィにより順次エッチングされて形成されている。

請求項（抜粋）：

不純物密度が1016cm-3以下の高抵抗ダイヤモンド層と、この高抵抗ダイヤモンド層の上に形成されたゲート電極部と、前記高抵抗ダイヤモンド層の上の前記ゲート電極部を挟む位置に形成され不純物密度が1019cm-3以上の1対の低抵抗ダイヤモンド層と、前記低抵抗ダイヤモンド層の上にオーミック接触で夫々形成されたソース電極層及びドレイン電極層と、このソース電極層及びドレイン電極層の上に夫々形成された絶縁膜と、を有することを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 618 B , H01L 29/80 B

Fターム (16件)：

5F040DA01 , 5F040DA05 , 5F040DC01 , 5F040EC04 , 5F040EC08 , 5F040EC10 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040EH02 , 5F040FA03 , 5F040FA04 , 5F040FA05 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GL02

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平3-012966
MOSFET及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-142832 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭60-251671

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審査官引用 (3件)

特開平3-012966
MOSFET及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-142832 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭60-251671

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