特許

J-GLOBAL ID：200903033384854576

光導波路の製造方法

発明者： 今田 勝大 ,  吉新 喜市 ,  松野 繁 ,  内川 英興 ,  渡井 久男 ,  北山 忠善 ,  水落 隆司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313259
公開番号（公開出願番号）：特開平6-160657
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：

【要約】【目的】 従来より低い温度で形成できるため、プロセスが簡略化できるとともに、高温では形状や成分が変化してしまう基板をも用いることができ、しかも特性の優れた光導波路の製造方法を得ることができる。【構成】 基板温度を400°Cとし、基板1にSi(OC2H5)4(TEOS)の蒸気のみを供給し、クラッドの一部を構成する石英膜101を形成する。次に、TiのアルコキシドとしてTi(O-i-C3H7)4とTEOSとを基板1に供給して、光導波路のコア部となる高屈折率層102を形成した。さらに、上部のクラッド部となる石英膜101を、TEOSのみの原料蒸気を基板1に供給して形成し、RIE法により石英多層膜をエッチングする。

請求項（抜粋）：

Siアルコキシド蒸気を主とする原料蒸気とオゾンガスとを反応させて、基板にSiO2を主成分とする膜を形成する光導波路の製造方法。

IPC (2件)：

G02B 6/12 ,  C03C 13/04