化学機械研磨方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296042
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118816
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ディシング、エロ-ジョンの抑制される絶縁層の上に金属層が設けられた基板の化学機械研磨方法の提供。【解決手段】金属膜またはデバイスを表面に有する基板を金属膜面またはデバイス面を上向きにしてチャックテ-ブルに保持し、該基板と軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を遊離研磨砥粒を介して押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させつつ、かつ、該研磨パッドを基板上で往復揺動して基板表面の金属膜またはデバイスの少なくとも一部を除去する化学機械研磨方法であって、その揺動速度の変化のパタ-ンは暫時増速し、最高速度になると暫時減速し、再度、暫時増速、ピ-ク速度、暫時減速するパタ-ンで揺動速度の変更を行なうことを特徴とする、金属膜またはデバイスを表面に有する基板の化学機械研磨方法。

請求項（抜粋）：

金属膜またはデバイスを表面に有する基板を金属膜面またはデバイス面を上向きにしてチャックテ-ブルに保持し、該基板と軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を遊離研磨砥粒を介して押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させつつ、かつ、該研磨パッドを基板上で往復揺動して基板表面の金属膜またはデバイスの少なくとも一部を除去する化学機械研磨方法であって、前記研磨パッドの基板上での揺動は、揺動開始点(基板の中心点に近い側)から揺動終点(基板の中心点より遠い側)に向って研磨パッドの揺動速度をn回(但し、nは5以上、30以下の整数である。)変更しつつ行なうものであり、その揺動速度の変化のパタ-ンは暫時増速し、最高速度になると暫時減速し、再度、暫時増速、ピ-ク速度、暫時減速するパタ-ンで揺動速度の変更を行なうことを特徴とする、金属膜またはデバイスを表面に有する基板の化学機械研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , B24B 37/04

FI (3件)：

H01L 21/304 622 R , H01L 21/304 621 D , B24B 37/04 G

Fターム (9件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AA11 , 3C058AB08 , 3C058BB03 , 3C058BC02 , 3C058CB01 , 3C058DA12 , 3C058DA17

前のページに戻る