特許
J-GLOBAL ID：200903033391275620
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170979
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013350
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 SiO2 層間絶縁膜に微細な接続孔を開口する際のマイクロローディング(ML)効果を防止する。【構成】 フルオロカーボン側鎖を有するスルホン酸、またはそのハロゲン化物、またはその酸無水物をエッチング・ガスの主成分として用いる。これらの化合物は、放電解離条件下でCFx + ,O* ,Sを生成でき、それぞれ高速エッチング、過剰な炭素系ポリマーの燃焼除去、ウェハの表面保護に寄与する。エッチング・ガスにCO,SOF2 ,NOF等のハロゲン化合物を添加すれば、SiO2からのO原子引き抜きによるエッチング反応の高速化と、炭素系ポリマーの構造強化が可能となる。特に構造強化は異方性加工に必要なポリマー堆積量を低減させることにつながり、ML効果の一層の低減と低汚染化に寄与する。
請求項（抜粋）：
フルオロカーボン側鎖を有するスルホン酸、フルオロカーボン側鎖を有するスルホン酸ハロゲン化物、フルオロカーボン側鎖を有するスルホン酸無水物から選ばれる少なくとも1種類の化合物を含むエッチング・ガスを用いてシリコン化合物層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
引用特許：
前のページに戻る
