特許
J-GLOBAL ID：200903033391762660
配線構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294620
公開番号（公開出願番号）：特開平6-148658
出願日： 1992年11月02日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗で電気化学的に安定な、アクティブマトリクス液晶表示装置に適した配線構造を得る。【構成】 絶縁性基板11上に形成されたITO膜7、13の上に、バリアーメタル8a、9aと、Al層8b、9bと、Al層8b、9bの酸化膜8c、9cとからなるソース電極8およびドレイン電極9が形成されている。ITO膜7、13とAl層8b、9bとの間にバリアーメタル8a、9aが介在しているので、ITO膜7、13とAl層8b、9bとの間で起こる電池反応が抑制される。また、Al層8a、9aの表面にその酸化膜8c、9cが形成されているので、パターニング工程においてAl層8a、9aが溶解することがなく、さらに、上記電池反応を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも3層の配線を有し、最下層がMo、Nb、Cr、Tiまたはそれらを主成分とする金属からなり、最上層が該最上層の直下に形成されたAlまたはAl合金からなる層の表面を酸化して形成した酸化膜からなり、該最上層の厚みが50オングストローム以上500オングストローム以下である配線構造。
IPC (3件)：
G02F 1/1343
, G02F 1/1345
, G02F 1/136 500
