特許
J-GLOBAL ID：200903033396990599
基板表面汚染の防止方法およびレジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037235
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252037
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、化学増幅レジストを用いる工程において、下地からの影響を軽減することにより、良好なレジストパタ-ンを形成することを目的とする。【構成】 基板上に被処理層を形成した後に、この被処理層の表面に炭素を一成分とする被覆膜を形成する。さらに、レジストパタ-ンを形成する直前に、この被覆膜を除去する。【効果】 前記被覆膜が塩基性物質を吸着することにより、化学増幅レジストの触媒としての酸が失活することを防ぐことができ、良好なレジストパタ-ンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板上の被処理層の表面に塩基性物質を吸収する炭素を一成分とする被覆膜を形成し、この後、前記被覆膜を除去することを特徴とする基板表面汚染の防止方法。
IPC (2件)：
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