特許
J-GLOBAL ID：200903033399652317
半導体力学量センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208577
公開番号（公開出願番号）：特開平10-048245
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、製造歩留まりを向上させるとともに半導体力学量センサの信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】 ガラス基板1は、最終処理であるドライ処理の後に半導体基板6との接合面を酸性水溶液でエッチングした後、当該半導体基板6と接合することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
支持部及び可動部が形成された半導体基板と接合されるガラス基板の最終処理がドライ処理である半導体力学量センサの製造方法において、前記ガラス基板は、前記ドライ処理の後に前記半導体基板との接合面を酸性水溶液でエッチングした後、当該半導体基板と接合することを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (4件)：
G01P 15/125
, G01L 9/04 101
, H01L 21/306
, H01L 29/84
G01P 15/125
, G01L 9/04 101
, H01L 29/84 Z
, H01L 21/306 S
