特許

J-GLOBAL ID：200903033399729840

半導体発光装置

発明者： 鬼頭 泰浩 ,  古谷 章 ,  菅野 真実 ,  須藤 久男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-098997
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307522
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 劈開時のダメージが発光領域の劈開面部分に生じないようにすることができるとともに、溝と発光領域間の距離を小さくして発光領域に関与しない活性層上下の界面の寄生容量を低減することができ、高歩留り化及び超高速変調化を実現することができる。【構成】 活性層14の両端に、共振器が位置する端面1が形成された半導体発光装置において、発光領域2に近接し、共振器が位置する端面1部分に到達せず、かつ少なくとも前記活性層14に到達する深さまで形成された溝3を有する。

請求項（抜粋）：

活性層(14)の両端に共振器が位置する端面(1)が形成された半導体発光装置において、発光領域(2)に近接し、共振器が位置する端面(1)部分に到達せず、かつ少なくとも前記活性層(14)に到達する深さまで形成された溝(3)を有することを特徴とする半導体発光装置。