特許

J-GLOBAL ID：200903033406311504

ホール効果センサ

発明者： ジーン-ルイス ロバート ,  ジュリエン ペルノット ,  ジーン カマーセル ,  シルヴィー コントレラス
出願人/特許権者： センター ナショナル デ ラ レシェルルシェ サイエンティフィック-シーエヌアールエス
代理人 (2件)： 大西 正悟 ,  山口 修之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-524238
公開番号（公開出願番号）：特表2004-508721
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

本発明は、半導体基板(12)に堆積した薄い半導体層を含む多層構造から構成され、2つの層が絶縁体によって電気的に絶縁されるホール効果センサであって、基板(12)は、p-の半導体層によって構成される絶縁材が堆積したn+型半導体であること、及び薄い活性層(14)は、放出状態でドープ処理されるn-型であることを特徴とするセンサに関する。好ましくは、活性層は、炭化ケイ素、又は窒化ガリウム層によって構成される。

請求項（抜粋）：

基板(10)に堆積した薄い活性層を含む多層構造によって構成されるホール効果センサであって、基板(10)は、[基板の活性層を電気的に絶縁するように]それぞれp-又はn+型絶縁材、半絶縁材又は半導体であること、かつ活性層(14)は、放出状態で(n-又はp-型)の僅かにドープ処理される半導体で構成されることを特徴とするセンサ。

IPC (2件)：

H01L43/06 ,  G01R33/07

FI (3件)：

H01L43/06 S ,  H01L43/06 P ,  G01R33/06 H

Fターム (3件)：

2G017AA01 ,  2G017AD53 ,  2G017AD61

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-026172
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-235191   出願人：日本電装株式会社
• 特開昭55-072091
  

審査官引用 (3件)

• 特開平4-026172
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-235191   出願人：日本電装株式会社
• 特開昭55-072091