特許

J-GLOBAL ID：200903033408886474

熱処理装置

発明者： 井本 幸男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-351848
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177141
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】半導体ウェーハと加熱ステージとを非接触で互いに対向して配設し、ウェーハのべーキング等を行なう枚葉式熱処理装置では、 3個の支持点で保持されるウェーハと加熱ステージとの距離及びそのばらつきが、ウェーハの温度及び面内温度の均一性に大きく影響することを考慮し、ウェーハの温度を設定値に近づけ、ウェーハ面内温度の均一性を向上する。【構成】本発明の装置は、ウェーハを保持する 3個の支持点の高さをそれぞれ独立に調整できる支持手段(例えば逆圧電効果を利用する圧電素子ユニットを支持ピンとベース間に介在)と、ウェーハと加熱ステージとの距離検出手段またはウェ4ハ主面の温度分布検出手段と、距離または温度検出信号を受け、支持点の高さを調整する制御信号を前記支持手段にフィードバックするコントローラとを、具備する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ主面と対向し非接触で該ウェーハを加熱する加熱ステージと、前記ウェーハまたは加熱ステージを 3個の支持点で支持すると共に各支持点の高さをそれぞれ独立に調整できる支持手段と、対向する前記ウェーハと加熱ステージとの間の距離を検出する手段及び前記ウェーハの主面の温度分布を検出する手段のうち少なくともいずれか一方の検出手段と、この検出手段よりの検出信号を受け、前記支持手段に支持点の高さを調整する制御信号を送るコントローラとを具備することを、特徴とする熱処理装置。