光半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-210192
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018050
出願日： 1991年02月22日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【課題】ノンドープの第1のエピタキシャル層24とN型の第2のエピタキシャル層25を順次積層し、第1と第2のエピタキシャル層をP+高濃度分離領域で貫通させることにより、高速応答が可能で取り出し抵抗が小さいホトダイオード21内蔵ICを形成すること。【解決手段】 P型基板23上にノンドープの第1のエピタキシャル層24とN型の第2のエピタキシャル層25を順次積層し、両者を完全に貫通し基板内部まで拡散するP+分離領域26で島状に分離する。第2のエピタキシャル層25表面にN+型拡散領域30を形成してホトダイオード21を形成し、P型ベース領域35とN+型エミッタ領域36を形成してNPNトランジスタ22とする。P+分離領域26の表面にアノードの取り出し電極を形成する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面にノンドープで積層した第1のエピタキシャル層と、前記第1のエピタキシャル層の表面に形成した逆導電型の第2のエピタキシャル層と、前記第1と第2のエピタキシャル層を貫通して前記第1と第2のエピタキシャル層を複数の島領域に形成する一導電型の分離領域と、前記分離領域の一部を形成し、前記基板の表面から上下方向に拡散し、上方向には前記第1のエピタキシャル層の途中まで拡散した第1の分離領域と、前記分離領域の一部を形成し、前記第1のエピタキシャル層の表面から上下方向に拡散した第2の分離領域と、前記分離領域の一部を形成し、前記第2のエピタキシャル層の表面から前記第2のエピタキシャル層の途中まで拡散した第3の分離領域と、第1の島領域の表面に形成した逆導電型の拡散領域にコンタクトするホトダイオードの一方の電極と、前記分離領域の表面にコンタクトするホトダイオードの他方の電極と、第2の島領域の前記第1のエピタキシャル層の表面に形成した逆導電型の埋め込み層と、前記第2の島領域の表面に形成した一導電型のベース領域および逆導電型のエミッタ領域とを具備することを特徴とする光半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 31/10 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 27/14

FI (3件)：

H01L 31/10 A , H01L 27/06 101 D , H01L 27/14 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-205564
特公昭51-010075
特開昭62-130521

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