特許

J-GLOBAL ID：200903033415100958

半導体モジュール用基板

発明者： 大上 純史 ,  福永 憲和
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003057
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204021
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】 構成要素間の熱膨張係数の差による反りの発生を防止し、放熱特性に優れる半導体モジュール用基板を提供する。【解決手段】 半導体素子11を上面に搭載するための配線金属板12と、配線金属板12の下面とろう材14で上面を接合する絶縁基板15と、絶縁基板15の下面側に接合し半導体素子11からの発熱を放熱するためのヒートシンク16を有する半導体モジュール用基板10において、絶縁基板15とヒートシンク16との間には、配線金属板12と近似する熱膨張係数を有する金属からなり、絶縁基板15の下面及びヒートシンク16の上面との間にろう材14a、14bで接合された中間板17を有し、しかもヒートシンク16は炭素と金属を含んだ複合材からなる。

請求項（抜粋）：

半導体素子を上面に搭載するための配線金属板と、該配線金属板の下面とろう材で上面を接合する絶縁基板と、該絶縁基板の下面側に接合し前記半導体素子からの発熱を放熱するためのヒートシンクを有する半導体モジュール用基板において、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの間には、前記配線金属板と近似する熱膨張係数を有する金属からなり、前記絶縁基板の下面及び前記ヒートシンクの上面との間にろう材で接合された中間板を有し、しかも前記ヒートシンクは炭素と金属を含んだ複合材からなることを特徴とする半導体モジュール用基板。

IPC (2件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/373

FI (3件)：

H01L 23/36 D ,  H01L 23/36 Z ,  H01L 23/36 M

Fターム (6件)：

5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD14