特許

J-GLOBAL ID：200903033416588237

減圧気相成長装置

発明者： 白石 靖志
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001942
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206106
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】バッチ式のLPCVD装置によるBPSG膜の絶縁膜の形成時のバッチ内における不純物B,P濃度調整を簡単に行えること。【構成】不純物添加の為のインジェクター(図中の7及び8)をバッチ内の位置(例えば上,中,下)で分割して設けることにより位置毎の不純物ガスの流量調節が可能となる。【効果】バッチ内の不純物濃度調整が簡単になることにより、パイロット回数が減って装置の稼働率が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハーの半導体素子上に絶縁膜を形成するバッチ式の減圧気相成長装置において、1種類の不純物につき不純物添加のための導入用石英管を複数本設け、該複数本の導入用石英管はたがいにガス噴出位置が少しずつ異なっていることを特徴とする減圧気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/90