特許
J-GLOBAL ID：200903033418046776
レジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-198394
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045843
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 Cr基板との密着性に優れ、何等不都合を伴なうことなく良好な断面形状を有するパターンを形成可能なレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 Cr基板上に、アルカリ可溶性樹脂、溶解抑止剤及び酸発生剤を含有する酸触媒型の化学増幅型ポジ型レジストを塗布して、レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の所定の領域にパターン露光を施す工程と、前記パターン露光後のレジスト膜を加熱処理する工程と、前記加熱処理後のレジスト膜を現像処理してレジスト膜の露光部を選択的に溶解除去してレジストパターンを形成する工程と、前記現像処理後のレジストパターンの形状を維持しつつ、パターン中の溶解抑止剤を全て分解することによりレジストのガラス転移温度を高める工程と、前記高められたレジストのガラス転移温度以上の温度でレジストパターンを加熱処理する工程とを具備するレジストパターン形成方法である。
請求項（抜粋）：
Cr基板上に、アルカリ可溶性樹脂、溶解抑止剤および酸発生剤を含有する酸触媒型の化学増幅型ポジ型レジストを塗布して、レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の所定の領域に化学放射線を照射してパターン露光を施すことにより露光部に酸を発生させる工程と、前記パターン露光後のレジスト膜を加熱処理して、前記酸による触媒反応を進める工程と、前記加熱処理後のレジスト膜を、現像液を用いて現像処理してレジスト膜の露光部を選択的に溶解除去してレジストパターンを形成する工程と、前記現像処理後のレジストパターンの形状を維持しつつ、パターン中の溶解抑止剤の保護基を全て脱離せしめることによりレジストのガラス転移温度を高める工程と、前記高められたレジストのガラス転移温度以上の温度でレジストパターンを加熱処理する工程とを具備することを特徴とするレジストパターン形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 571
, H01L 21/30 565
