特許

J-GLOBAL ID：200903033418810328

非線形光半導体素子

発明者： 鈴木 信夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276249
公開番号（公開出願番号）：特開2001-100262
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 サブバンド間遷移を利用した近赤外域の光制御型非線形光半導体素子において、量子井戸層の第2サブバンドと外側のバルク層の結合を抑制し、強いサブバンド間吸収と高速の吸収回復時間を同時に実現する。【解決手段】 半導体多重量子井戸構造のサブバンド間吸収の飽和に基づく非線形光学応答を利用した非線形光半導体素子において、多重量子井戸構造4は、GaN下地層3とGaNキャップ層5との間に配置されて、AlGaN障壁層6とGaN井戸層7を積層して構成され、隣接層3,5との境界部に、各井戸層の第2サブバンドのエネルギーが隣接層に向かって一旦減少したのち上昇するように構成されたサブバンドエネルギー変調領域8,9を有している。

請求項（抜粋）：

井戸層と障壁層を交互に積層した半導体多重量子井戸構造のサブバンド間吸収の飽和に基づく非線形光学応答を利用した非線形光半導体素子において、前記多重量子井戸構造は、該構造に隣接する隣接層との境界部に、各井戸層の第2サブバンドのエネルギーが隣接層に向かって一旦減少したのち上昇するように構成されたサブバンドエネルギー変調領域を有していることを特徴とする非線形光半導体素子。

IPC (2件)：

G02F 1/365 ,  G02F 1/017 503

FI (2件)：

G02F 1/365 ,  G02F 1/017 503

Fターム (17件)：

2H079AA08 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079KA20 ,  2K002AB04 ,  2K002BA02 ,  2K002CA13 ,  2K002DA12 ,  2K002EA04 ,  2K002EA30 ,  2K002FA05 ,  2K002GA10 ,  2K002HA00