特許
J-GLOBAL ID：200903033421397440
半導体級多結晶シリコン製造用反応炉
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大家 邦久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-352214
公開番号（公開出願番号）：特開平6-172092
出願日： 1992年12月10日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：
【要約】【構成】 密閉反応炉の底部に複数の原料ガス供給用ノズルと複数のガス排出口を有し、炉底部の電極ホルダによって逆U字型に立設された複数のシリコン心棒に多結晶シリコンを高温下で析出させる半導体級の多結晶シリコンを製造する反応炉において、ガス排出口を炉内周側に設ける一方、炉内周に沿って環状に配列した原料ガス供給ノズルと電極ホルダの列を交互に多重に配列したことを特徴とする半導体級多結晶シリコン製造用反応炉。【効果】 ロッド表面の形状不良が少なく、表面が平滑な多結晶シリコンロッドを多量に製造することができる。
請求項（抜粋）：
密閉反応炉の底部に複数の原料ガス供給用ノズルと複数のガス排出口を有し、炉底部の電極ホルダによって逆U字型に立設された複数のシリコン心棒に多結晶シリコンを高温下で析出させる半導体級の多結晶シリコンを製造する反応炉において、ガス排出口を炉内周側に設ける一方、炉内周に沿って環状に配列した原料ガス供給ノズルと電極ホルダの列を交互に多重に配列したことを特徴とする半導体級多結晶シリコン製造用反応炉。
IPC (2件)：
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