特許
J-GLOBAL ID：200903033421507059
半導体デバイスの製造方法、その製造装置及び半導体デバイス製造用ウェハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212204
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050328
出願日： 1993年08月04日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェハ単位での比抵抗管理の精度を飛躍的に向上することができるようにする。【構成】 半導体インゴットからウェハ1を切出し、ウェハ1の比抵抗を非破壊比抵抗測定装置4で測定する。この測定された比抵抗3と識別番号2をレーザーマーキング装置5でウェハ1にマーキングする。所定の特性の半導体デバイスを得るために、この比抵抗3を利用して製造に使用されるウェハ1を選択する。このウェハ1に所定の素子領域を形成することにより、所定の特性を有する半導体デバイスを製造する。
請求項（抜粋）：
半導体材料から形成された半導体インゴットから半導体ウェハを切り出す工程と、前記半導体ウェハの比抵抗を非破壊的方法で測定する工程と、所定の特性を有する半導体デバイスの製造のため、所定の前記比抵抗を有する半導体ウェハを選択する工程と、前記選択された半導体ウェハに所定の素子領域を形成することにより、前記所定の特性を有する半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
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