特許
J-GLOBAL ID：200903033424841286
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-132902
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139021
出願日： 1995年05月06日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 単結晶ウエハー上に形成されたトランジスタと同等の特性を有する薄膜トランジスタを得る。【構成】 ガラス基板101上に形成された下地膜(酸化珪素膜)の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含んだ溶液103を塗布する。そして加熱処理を行うことにより、ニッケルを含有した層104を形成する。さらにパターニングを施すこにより、選択的にニッケルを含有した層105と106を形成する。そして非晶質珪素膜107を成膜し、加熱した状態でレーザー光の照射を行うことで、108や109で示されるような結晶成長を行わせ、単結晶とみなせる領域であるモノドメイン領域110と112を形成する。このモノドメイン領域110と112を活性層として、薄膜トランジスタが構成される。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に珪素の結晶化を助長する金属元素の層または珪素の結晶化を助長する金属元素を含む層を形成する工程と、前記層をパターニングする工程と、前記パターニングされた層を覆って非晶質珪素膜を形成する工程と、前記パターニングされた層を核として前記非晶質珪素膜の結晶成長を行わせ、実質的に結晶粒界の存在しない領域を形成する工程と、前記結晶成長が行われた実質的に結晶粒界が含まれない領域を用いて活性層を構成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
