特許

J-GLOBAL ID：200903033428334443

半導体用セラミックパッケージの製造方法

発明者： 寺村 一彦 ,  山本 和典 ,  戸澤 洋二 ,  内野々 誠
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 吉村 博文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043534
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213509
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 W/BパターンのAuメッキ上に付着しているNi、Coのコンタミネーションを除去し、W/B不良の発生を防止できる半導体用セラミックパッケージの製造方法を提供する。【構成】 W/Bパターン、側面メタライズ部分を有するパッケージ用セラミック基板作成工程と、該セラミック基板の露出導体部分にNiCoを電解メッキするNiCoメッキ処理工程と、該セラミック基板に外部端子を付ける外部端子付け工程と、該外部端子およびNiCoメッキした露出導体部分にNiCo、Auを電解メッキするNiCo、Auメッキ処理工程と、前記側面メタライズ部分除去工程、および洗浄工程を有する。そして、該洗浄工程で、前記セラミック基板を酸洗浄し、前記Auメッキ処理された露出導体部分に付着した前記除去工程で除去された側面メタライズ部分のNiまたは/およびCoのコンタミネーションを除去する。

請求項（抜粋）：

表面にワイヤボンディングパターンを有し、該表面および内部に導体パターンを有し、側面に該導体パターンのうちの電解メッキ用引き出しパターンと接続するタイバー用導体パターンからなる側面メタライズ部分を有するパッケージ用セラミック基板を作成するセラミック基板作成工程と、該セラミック基板の露出導体部分にNiCoを電解メッキするNiCoメッキ処理工程と、該セラミック基板に外部端子を付ける外部端子付け工程と、該外部端子およびNiCoメッキした露出導体部分にNiCo、Auを電解メッキするNiCo、Auメッキ処理工程と、該電解メッキ処理した露出導体部分のうちの前記側面メタライズ部分を除去する除去工程、および該側面メタライズ部分を除去したセラミック基板を洗浄する洗浄工程を有する半導体用セラミックパッケージの製造方法において、該洗浄工程で、前記セラミック基板を酸洗浄し、前記Auメッキ処理された露出導体部分に付着した前記除去工程で除去された側面メタライズ部分のNiまたは/およびCoのコンタミネーションを除去することを特徴とする半導体用セラミックパッケージの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 23/12 D ,  H01L 23/12 Q