特許
J-GLOBAL ID：200903033431071410
多結晶半導体膜およびこれを用いた薄膜トランジスタ並びに多結晶半導体膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092260
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283422
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 ガラス基板を使用し、且つ結晶に配向を持たせながら結晶粒径の大粒径化が図れるといった全ての条件を充たすことのできる多結晶半導体膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 a-Si膜を形成するプラズマCVD装置のバックグランド真空度を十分に高くしてa-Si膜中の酸素を十分に除去し、次に、a-Si膜に含まれる水素を比較的長時間(或いは高温)での熱アニールによって十分に除去し、その後、上記の酸素及び水素が十分に除去されたa-Si膜に対して所定の温度を付与しつつエキシマレーザーパルスを多数回照射する。
請求項（抜粋）：
膜厚が300Å〜1000Åで且つ(111)配向度50%以上のノンドープ膜であり、結晶粒径1μm以上の粒を少なくとも含むことを特徴とする多結晶半導体膜。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/784
