特許
J-GLOBAL ID：200903033433170521
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114570
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298341
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】青紫色波長域の半導体レーザの素子抵抗や動作電圧を低減する。【解決手段】光導波層3,7,13、光分離閉じ込め層4,6、活性層5、コンタクト層8からなる半導体レーザ素子において、p型結晶層である層7,13,13は、すべてIn組成を変調した超格子ヘテロ構造とし、In組成の変調構造に同期させてp型不純物を変調ドープする。【効果】p型光導波層の正孔キャリア濃度を従来よりも一桁近く高く活性化できたので、p型光導波層の抵抗率を低減でき、p型コンタクト層とp側電極の接触抵抗も改善できた。これにより、素子抵抗を従来の1/5から1/10に低減するとともに、注入電流20mA時の素子動作電圧を従来の3.6Vに対して3.1〜3.3Vにまで低減できた。
請求項（抜粋）：
活性層を有する活性領域と、該活性層領域に接合され且つ該活性層より禁制帯幅の大きい半導体からなる光導波領域とを含み、上記光導波領域はIn組成の異なる2種類の半導体層を交互に積層して形成された超格子構造領域を有し、上記超格子領域においてIn組成の大きい半導体層のみにp型不純物が導入されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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