特許

J-GLOBAL ID：200903033434405271

ディスクキャリア

発明者： 奥村 康則 ,  田尻 浩三
出願人/特許権者： 株式会社日本触媒
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318115
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124562
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 優れた耐熱性、耐溶剤性及び表面抵抗制御性を兼ね備えるディスクキャリアを提供する。【解決手段】 ディスクキャリアは、式(I){Xはハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシル基を表わし、qは0〜4の整数、nは重合度、mは0または1の整数。R1は下記式(X′はハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシル基を表わし、q′は0〜4の整数、pは0または1の整数。R2は2価の有機基。)で表わされる。}で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体および/または式(III){Y′は置換基を有しても良い基であって炭素原子数1〜12のアルキル基、アルコキシル基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、炭素原子数6〜20のアリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アリールチオ基;Y2は2価の有機基;Zは重合度}のポリシアノアリールエーテルを含む。

請求項（抜粋）：

下記式(I):【化1】{ただし、Xはハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシル基を表わし、qは0〜4の整数であり、nは重合度を表し、mは0または1の整数である。R1は下記式(II):【化2】(ただし、X’はハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシル基を表わし、q’は0〜4の整数であり、pは0または1の整数である。R2は2価の有機基を表わす。)で表わされる基である。}で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体および/または下記式(III):【化3】(ただし、Y1は、置換基を有してもよい炭素原子数1〜12のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数1〜12のアルコキシル基、置換基を有してもよい炭素原子数1〜12のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素原子数1〜12のアルキルチオ基、置換基を有してもよい炭素原子数6〜20のアリール基、置換基を有してもよい炭素原子数6〜20のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数6〜20のアリールアミノ基または置換基を有してもよい炭素原子数6〜20のアリールチオ基を表わす;Y2は、2価の有機基を表わす;zは重合度を表わす。)で示されるポリシアノアリールエーテルを含むディスクキャリア。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  B65D 85/86 ,  C08G 65/40 ,  C08L 71/10

FI (4件)：

H01L 21/68 V ,  C08G 65/40 ,  C08L 71/10 ,  B65D 85/38 R

Fターム (34件)：

3E096AA06 ,  3E096BA16 ,  3E096BB04 ,  3E096CA09 ,  3E096CB10 ,  3E096DA30 ,  3E096EA02X ,  3E096FA14 ,  3E096GA01 ,  4J002BD122 ,  4J002CH091 ,  4J002DA036 ,  4J002DE136 ,  4J002DE186 ,  4J002DE236 ,  4J002DJ006 ,  4J002DJ016 ,  4J002DJ036 ,  4J002DJ046 ,  4J002DJ056 ,  4J002DL006 ,  4J002FA046 ,  4J002FA066 ,  4J002FA070 ,  4J002FA086 ,  4J002FA090 ,  4J002FD162 ,  4J002GG01 ,  4J005AA11 ,  4J005BD04 ,  4J005BD05 ,  5F031CA02 ,  5F031DA01 ,  5F031EA02