特許
J-GLOBAL ID:200903033438713248
半導体装置およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-089166
公開番号(公開出願番号):特開2001-274319
出願日: 2000年03月28日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】チップ・オン・チップ構造でありながら効果的に薄型化できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】親チップ1および子チップ2が活性面1a,2aを対向させた状態で接合される。そして、子チップ2の非活性面2bが研削され、さらに、親チップ1の非活性面1bが研削される。こうして、チップ・オン・チップ構造に接合された親チップ1および子チップ2がいずれも薄型化されることになる。その後は、親チップ1の外部接続用パッドPEがボンディングワイヤ6によってリードフレーム7に接続され、全体がモールド樹脂10で封止される。
請求項(抜粋):
非活性面側を除去することにより薄型化された第1の半導体チップと、非活性面側を除去することにより薄型化された第2の半導体チップと、上記第1および第2の半導体チップの活性面同士を接合する接合部材とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/306
, H01L 21/60 311
FI (3件):
H01L 21/60 311 Q
, H01L 25/08 B
, H01L 21/306 M
Fターム (5件):
5F043AA02
, 5F043DD16
, 5F043GG10
, 5F044QQ00
, 5F044RR02
引用特許:
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