特許
J-GLOBAL ID：200903033439538164
炭素膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338092
公開番号（公開出願番号）：特開平6-157193
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月03日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ダイヤモンドを含む炭素膜またはダイヤモンド膜の成膜における原料供給機構の単純化を図り、量産性に富んだ機構を提供する事を目的としております。【構成】 ダイヤモンドを含む炭素膜またはダイヤモンド膜の成膜を行うにあたり、原料をダイヤモンド構造を有する固体有機化合物とし、反応室内部においてこれを保持もしくは加熱することにより、該固体有機化合物を昇華せしめて該原料の昇華物により該反応室内部を充填し、プラズマ等によって活性化し、基板表面にダイヤモンド薄膜を形成することにより、気体原料や液体原料において必要とされる装置が不要のダイヤモンド薄膜成膜機構を提案すること、該固体有機化合物の充填量および/または加熱温度を変化させることにより反応室空間内部への活性種供給量を調節すること、上記2点が本発明の構成とするところであります。
請求項（抜粋）：
減圧状態に保持された反応室に水素原子、酸素原子、または水素原子と酸素原子の両方を含む気体を導入し、該気体に対して外部より電磁波を加え、それにより高密度のプラズマを発生させ水素原子、酸素原子または水素原子と酸素原子の両方を含む励起されたイオン種、活性種などを該反応室中に保持されている基板表面上に吹きつけ、その際該反応室中に、分子構造としてダイヤモンド構造を有する固体有機化合物を充填したルツボ型容器を設置し、該反応室が減圧状態であることから該固体有機化合物を反応室内において昇華させ炭素活性種を供給し、基板近傍において反応させることにより該基板表面にダイヤモンド構造を含む炭素膜またはダイヤモンド膜を形成することを特徴とする炭素膜形成方法。
IPC (2件)：
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