特許

J-GLOBAL ID：200903033443725904

クリ-ニング方法

発明者： 西村 和晃 ,  山本 博之 ,  スポール フィリップ
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364382
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185489
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 例えば縦型熱処理装置を用いてポリシリコン膜やチタンナイトライド膜の成膜を行った後、反応容器内をクリーニングするにあたって、石英製の反応管やウエハボートの損傷を抑え、しかもランニングコストの削減を図ることのできる方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウエハに対してポリシリコン膜を成膜した後、ウエハを載せずにウエハボートを反応容器内に搬入し、ウエハの処理雰囲気の温度を例えば700°C〜800°Cに、また圧力を1〜2Torr程度に夫々設定し、窒素ガスで希釈した塩素ガスを反応容器内に所定の流量で供給しながら反応管やウエハボートに付着しているポリシリコン膜を除去する。またこの方法はチタンナイトライド膜(TiN)を成膜した後においても適用でき、この場合ポリシリコン膜のクリーニング条件とほぼ同じであるが反応容器内の温度は多少低くてもよい。

請求項（抜粋）：

反応容器内にて被処理体に対してシリコン膜を成膜した後、または被処理体上のシリコン膜をドライエッチングした後、前記反応容器内をクリ-ニングする方法において、前記反応容器内に塩素ガスを供給し、反応容器内に付着しているシリコン膜を前記塩素ガスによりエッチングしてクリ-ニングすることを特徴とするクリ-ニング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/304 645 Z ,  H01L 21/302 N

Fターム (26件)：

5F004AA15 ,  5F004BA19 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA25 ,  5F004DB02 ,  5F004DB12 ,  5F045AB03 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EC02 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10