特許

J-GLOBAL ID：200903033445059839

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 土屋 朋信 ,  鈴木 誠 ,  谷渡 剛 ,  魚見 和久 ,  青木 雅博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-054750
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129709
出願日： 1991年03月19日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 量子サイズ効果の大きな半導体発光素子を得る。【構成】 半導体基板1上に設けられた電流阻止層2、3で形成される溝に順次埋め込まれたガイド層4、活性層5及びクラッド層6を持つ半導体発光素子において、ガイド層4表面が、〔110〕又は〔1-10〕方向に数度傾斜した(001)面であり、活性層5が縦形格子構造となる。【効果】 半導体発光素子の活性層に縦型格子構造を形成することによって量子サイズ効果の大きな半導体発光素子が実現される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順に積層されたガイド層と活性層を有する半導体発光素子において、上記活性層が縦形格子構造を有することを特徴とする半導体発光素子。