特許

J-GLOBAL ID：200903033447990190

洗浄液、その配合決定方法ならびに製造方法、洗浄方法、および、半導体基板の製造方法

発明者： ▲高▼原 洋一 ,  佐藤 孝雄 ,  斉藤 昭男 ,  岡 齊 ,  平岩 篤 ,  ▲高▼橋 健治 ,  田中 賢治 ,  武島 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343482
公開番号（公開出願番号）：特開平10-183185
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【課題】基板表面の異物除去に要する処理時間を短縮する。【解決手段】下記(数1)および(数2)を満たす条件で洗浄する。ここで、xはNH<SB>3</SB>濃度(mol/L)、yはH<SB>2</SB>O<SB>2</SB>濃度(mol/L)、Tは処理液温度(°C)、tは処理時間(分)である。また、zは解離していない過酸化水素の濃度(mol/L)である。200.877<26.475×log(x)-21.326×log(y)+2.049T+3.226t ...(数1)logz>T/118-2.169 ...(数2)

請求項（抜粋）：

処理温度T°Cで、t分間被洗浄物表面に接触させることにより、該被洗浄物表面の異物を除去する洗浄液において、酸化剤と、酸化膜エッチング剤とを含む水溶液であり、上記酸化剤の濃度y(mol/L)と、上記酸化膜エッチング剤の濃度x(mol/L)とが、下記条件式(数1)を満たすことを特徴とする洗浄液。【数1】

IPC (4件)：

C11D 7/18 ,  C11D 7/04 ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/304 341

FI (4件)：

C11D 7/18 ,  C11D 7/04 ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/304 341 L