特許

J-GLOBAL ID：200903033450984443

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 鈴木 堅吉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056726
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267986
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【構成】エキシマ・レ-ザ-を光源とする光学系により透明絶縁性基板上の加工面に結像し、光の当った部分の膜材料を光との相互作用により気体または微粒子状にして除去することにより、薄膜トランジスタのゲ-ト配線やゲ-ト端子等をパターニングする。【目的】マスクパターン転写と被加工膜の除去とが同時にできるので、レジスト塗布、焼成、露光、現像露光、現像、エッチング、レジスト剥離、洗浄工程からなる従来のフォトリソグラフィ法に比べ、工程数、設備規模、ターンアラウンドタイムが格段に縮小され、歩留まりの向上も含め製造コストが大幅に低減される。また、エッチ残りや洗浄残りがなくなるので信頼性も向上する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に薄膜層を形成し該薄膜層を選択的に除去することを繰り返して所望のパターンを有する薄膜層を積層する薄膜トランジスタの製造方法であって、上記薄膜層の少なくとも一層を、マスクパターンに従ってエキシマレーザ-で選択的に除去することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/302