高分子導波路型TE-TMモード変換器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-309313
公開番号（公開出願番号）：特開平8-122718
出願日： 1994年12月13日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】非線形高分子のみの独特なポーリング特性とポーリング時に誘起される光学的異方性及び電気光学効果を利用して新たな概念の高分子導波路型TE-TMモード変換器を提供する。【構成】 TEモードとTMモードの電場方向に対して全部45 ゚の角度を有する光軸が非線形高分子導波層であるコア層1内に形成される。【効果】導波路にTE(又はTM)モードが入射されると、形成された光軸と、その垂直した軸の間の有効屈折率の差異により、TM(又はTE)モードに変換され、また導波路のポーリングの長さ及び誘起される異方性を調節すれば、種々の偏光状態に変換できる。また、導波路の電圧を印加すればポーリングにより誘起された異方性の大きさを変化させることができる。さらに、バイアス電極で導波路の出力状態をTE又はTMモードに適切に調節し、TE-TMモードスイッチングを得ることができる。

請求項（抜粋）：

光導波媒質として非線形高分子物質で形成され、任意方向に配列されている非線形高分子の電気双極子を一対のポーリング用電極により人為的に傾けられた電場方向に配列,固定させて光学的異方性と電気光学効果を現わすことができるようにポーリング(poling)されたコア層と、上記コア層を介して形成され、上記コア層より相対的に屈折率が低い物質から形成されたクラッド層と、上記コア層からの出力光の初期偏光状態を微細に調節するために上記クラッド層の上部及び下部に各々形成された一対のバイアス(bias)電極と、上記バイアス電極に印加されたバイアス電圧(Vb)によりTEモードに設定された初期出力状態をTMモードにスイッチングさせるために、又はTMモードに設定された初期出力状態をTEモードにスイッチングさせるために、上記クラッド層の上部および下部に形成され、バイアス電極とは電気的に絶縁された一対の変調電極と、から構成されたことを特徴とする高分子導波路型TE-TMモード変換器。

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