特許

J-GLOBAL ID：200903033456387650

磁気誘導素子

発明者： 松崎 一夫
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087374
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291063
出願日： 1992年04月09日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】半導体チップ上への搭載に適する極小形のリアクトルや変圧器等の磁気誘導素子を半導体プロセス等を利用しながら積層数の少ない薄膜積層構造で容易に製造できるようにする。【構成】集積回路の半導体チップ等の第1の基体10とそれとは別体の第2の基体20の表面部にそれぞれ導体膜13と23からなるコイル部分31と32を複数個形成するとともに、それらの両端に接続電極33と34としてバンプ電極15と25を設け、両基体10と20を接続電極33と34を介し相互に結合することによりコイル部分31と32を交互に直列接続してコイル30を形成させ、かつコイル部分31と32の相互間にコイル電流により発生する磁束を通す磁路40を形成させて、コイル30と磁路40を備える磁気誘導素子50としてリアクトル等を構成する。

請求項（抜粋）：

板状の第1と第2の基体の表面部分に条パターンに形成された導体膜からなる複数個のコイル部分をそれぞれ配設するとともに、コイル部分の両端の両基体間の互いに対応する位置に接続電極を設け、この接続電極を介して両基体を相互に結合することにより第1の基板側のコイル部分と第2の基体側のコイル部分とを交互に直列に接続してコイルを形成させ、両基体のコイル部分の相互間にコイル電流により発生する磁束を通す磁路を形成させるようにしたことを特徴とする磁気誘導素子。

IPC (2件)：

H01F 31/00 ,  H01F 37/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-015909
  
• 特開平4-018717
  
• 特開昭60-124253