特許

J-GLOBAL ID：200903033458894958

圧電薄膜素子

発明者： 山田 朗 ,  前田 智佐子 ,  梅村 敏夫 ,  内川 英興 ,  三須 幸一郎 ,  和高 修三 ,  石川 高英
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1997001602
公開番号（公開出願番号）：WO1998-052280
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月19日
要約：

【要約】基板、該基板上に形成された圧電薄膜及び該圧電薄膜の上下両面に形成された薄膜電極を主要構成要素として含み、薄膜電極間に交流電圧を印加して圧電薄膜を共振させるようにした圧電薄膜素子において、基板の圧電薄膜下方の一部又は全部を除去して基板除去部を形成し、基板除去部を開口部を介して基板表裏面に貫通開放し、共振部構造下方の基板除去部内での圧力変動を逃がす。

請求項（抜粋）：

基板、該基板上に形成された圧電薄膜及び該圧電薄膜の上下両面に形成された薄膜電極を主要構成要素として含み、前記薄膜電極間に交流電圧を印加して前記圧電薄膜を共振させるようにした圧電薄膜素子において、 前記基板の前記圧電薄膜下方の一部又は全部が除去されて基板除去部が形成され、該基板除去部が開口部を介して前記基板表面に開放されてなる構造を有することを特徴とする圧電薄膜素子。

IPC (2件)：

H03H 9/17 ,  H01L 41/08