特許
J-GLOBAL ID：200903033461322400
配線構造およびそれを有する半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-217215
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033384
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】耐熱性が高く、絶縁膜の種類によらない、高信頼度の配線系および半導体素子を形成できる抜本的なヴィア配線接続構造を提供する。【解決手段】幅広配線に接続したヴィアも接続部近傍では細い配線に接続しているのと同等になるよう、幅広配線内のヴィア近傍に絶縁膜の島を設け、ヴィアに接続する配線幅を狭くする。
請求項（抜粋）：
ヴィアに接続し、ヴィア径よりも幅の広い銅もしくはアルミニウムを主成分とする配線で、ヴィア近傍の配線内部に絶縁膜で埋め込んだ領域(以下単に島という)があることを特徴とする配線構造。
Fターム (17件)：
5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033JJ01
, 5F033JJ08
, 5F033JJ11
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM21
, 5F033MM22
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ25
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033SS04
, 5F033SS15
, 5F033XX00
