特許
J-GLOBAL ID:200903033463804479

アクティブマトリクス基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 純之助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-274449
公開番号(公開出願番号):特開平10-123574
出願日: 1996年10月17日
公開日(公表日): 1998年05月15日
要約:
【要約】【課題】アクティブマトリクス基板の画素部の断面構造がトップITO構造であり、基板形成工程の簡略化のため、静電気保護回路を構成する非線形抵抗素子の一部を、透明画素電極と同一の形成工程で同層を用いて形成した構造において、信号線の形成後から基板が完成するまでの工程の間においても、静電気保護回路を働かせる。【解決手段】保護膜の形成後に透明画素電極ITOを設け、非線形抵抗素子NR1、NR2の一部を、透明画素電極ITOと同一の形成工程で同層を用いて形成した構造において、各非線形抵抗素子NR2と並列に、走査信号線G0〜Gjおよび映像信号線D1〜DiとガードリングGRとを、走査信号線G0〜Gjあるいは映像信号線D1〜Diと同一の形成工程で同層を用いて形成した短絡線STLNG、STLNDによりそれぞれ短絡させた。
請求項(抜粋):
液晶表示素子を構成し、液晶層を介して互いに対向配置した2枚の液晶表示基板のうち、一方のアクティブマトリクス基板の前記液晶層側の面上に、x方向に延在し、y方向に並設した走査信号線群と、この走査信号線群と絶縁してy方向に延在し、x方向に並設した映像信号線群とを形成し、前記走査信号線群と前記映像信号線群とが交差する領域により表示領域を構成し、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる領域に、薄膜トランジスタと透明画素電極とをそれぞれ形成し、前記透明画素電極を、前記薄膜トランジスタと前記走査信号線および前記映像信号線の保護膜より上層に設け、前記走査信号線と、前記映像信号線とを、それぞれ第1の非線形抵抗素子を介して第1の共通短絡線に電気的に接続して第1の静電気保護回路を構成し、前記走査信号線と、前記映像信号線とを、それぞれ第2の非線形抵抗素子を介して、前記第1の共通短絡線の外側に設けた第2の共通短絡線に電気的に接続して第2の静電気保護回路を構成し、前記第1および第2の非線形抵抗素子の一部を、前記透明画素電極と同一の形成工程で同層を用いて形成したアクティブマトリクス基板において、前記走査信号線と、前記映像信号線とを、前記第2の共通短絡線に電気的に接続する短絡線を、前記第2の非線形抵抗素子と並列にそれぞれ設け、前記非線形抵抗素子と並列にそれぞれ設けた前記短絡線を、前記走査信号線または前記映像信号線と同一の形成工程で同層を用いて形成したことを特徴とするアクティブマトリクス基板。

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