特許

J-GLOBAL ID：200903033468999340

化合物半導体の気相成長方法及びその装置

発明者： 金田 直樹
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206070
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054435
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 量産効率が高く、かつ、生産コストが低廉な化合物半導体の気相成長方法及びその装置を提供するものである。【解決手段】 基板上にエピタキシャル成長を行うための反応室3に、基板搬入準備室2および基板搬出準備室4を接続し、その基板搬入準備室2および基板搬出準備室4内の雰囲気を、上記反応室3と略同じ雰囲気に調整した後、上記基板搬入準備室2内の上記基板を上記反応室3内に搬送すると共に、上記反応室3内のエピタキシャルウェハを上記基板搬出準備室4内に搬送するものである。

請求項（抜粋）：

基板上にエピタキシャル成長を行うための反応室に、基板搬入準備室および基板搬出準備室を接続し、その基板搬入準備室および基板搬出準備室内の雰囲気を、上記反応室と略同じ雰囲気に調整した後、上記基板搬入準備室内の上記基板を上記反応室内に搬送すると共に、上記反応室内のエピタキシャルウェハを上記基板搬出準備室内に搬送することを特徴とする化合物半導体の気相成長方法。