特許
J-GLOBAL ID：200903033470539322
インジウムバンプの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137353
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335313
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 インジウムバンプ直下のペデスタル構造の利点を損うことなくバンプ径、バンプ高さが均一に形成できるインジウムバンプの製造方法を提供する。【構成】 複数の電極を備えた半導体基板の一主面上にレジスト厚膜を塗布し前記電極に対応する部位に開孔を設ける工程と、前記開孔にペデスタル状に金属をめっき形成する工程と、真空蒸着法によって全面にインジウム層を形成する工程と、前記インジウム層の一部を前記ペデスタル上に残置パターニングする工程は、前記ペデスタル上のインジウム層を溶融し球状化する工程を具備することを特徴とするペデスタル付インジウムバンプの製造方法。
請求項（抜粋）：
複数の電極を備えた半導体基板の一主面上にレジスト厚膜を塗布し、前記電極に対応する部位に開孔を設ける工程、前記開孔にペデスタル状に金属をめっき形成する工程、真空蒸着法によって全面にインジウム層を形成する工程、前記インジウム層の一部を前記ペデスタル上に残置パターニングする工程、および前記ペデスタル上のインジウム層を溶融し球状化する工程を具備する事を特徴とするペデスタル付インジウムバンプの製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 D
