半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014688
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213343
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【構成】 Si基板1に臨むコンタクト・ホール3が開口されてなるウェハに対して、TiCl4 とH2 との混合ガスを用いたプラズマCVDを行うに際し、TiCl4 に由来する反応種のSi基板1への吸着反応よりもH2 に由来する反応種のSi基板1への吸着反応の方が優先するごとくH2 を大過剰とすることにより、TiCl4 に比してH2 によるClの脱離が容易であるTiCl2 * の生成を促進させ、Cl含有量が1重量%以下のTi薄膜5を成膜する。【効果】 Si基板1にダメージを与えることなく、ウェハ周辺部のコンタクト・ホール3内にも均一な膜厚にてTi薄膜5を成膜することができるため、優れたカバレージ、低抵抗のオーミック・コンタクト、低リーク電流のバリヤメタルとすることができる。また、この上に設けられる配線材料層の信頼性も確保することができるため、デバイスの信頼性が大幅に向上する。

請求項（抜粋）：

シリコン系材料層の表面に高融点金属薄膜および/または高融点金属シリサイド薄膜が積層されてなる積層構造部を有する半導体装置において、前記高融点金属薄膜および/または高融点金属シリサイド薄膜中のハロゲン含有量が1重量%以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , C23C 16/14 , C23C 16/50 , H01L 21/285 , H01L 21/3213 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 D , H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-162674
コンタクトホールのプラグ形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-052885 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-004189 出願人：川崎製鉄株式会社

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